一個中國團隊最近在《納米快報》上發(fā)表了一篇研究論文，描述了一種新型的5 nm超高精度激光光刻處理方法。

這項研究是由中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所的研究員張紫陽與國家納米中心的研究員劉謙合作進行的。

該團隊設(shè)計并開發(fā)了一種新的三層堆疊薄膜結(jié)構(gòu)。對于無機鈦膜光刻膠，他們采用了雙激光束交叉堆疊技術(shù)。通過精確控制能量密度和步長，它們突破了1/55衍射極限，達到了5 nm的最小特征線寬。

研究團隊使用這種超分辨率激光直接寫入技術(shù)來實現(xiàn)納米狹縫電極陣列結(jié)構(gòu)的大規(guī)模制造。

值得一提的是，研究團隊已經(jīng)開發(fā)出一種完全智能化的激光直寫設(shè)備，該設(shè)備利用了激光和材料的非線性特性。這與縮短激光波長或增加數(shù)值孔徑的傳統(tǒng)技術(shù)途徑不同。

這打破了傳統(tǒng)激光直接寫入技術(shù)中受體材料是有機光刻膠的限制。它可以使用多種接收器材料，大大擴展了激光直寫場景的應用。