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    5G需要高性能的易失性和非易失性存儲(chǔ)器

    預(yù)計(jì)5G技術(shù)將提供無(wú)線通信,其延遲小于1毫秒,吞吐量比現(xiàn)有4G網(wǎng)絡(luò)快50倍。

    這種速度將為實(shí)現(xiàn)令人難以置信的多媒體和視頻體驗(yàn)奠定基礎(chǔ)。但是,要充分利用這些功能,就需要一個(gè)高性能的存儲(chǔ)系統(tǒng),該系統(tǒng)必須能夠滿足5G速度和存儲(chǔ)要求。

    為了實(shí)現(xiàn)5G的快速下載,我們需要一個(gè)大容量,快速的存儲(chǔ)設(shè)備。例如,考慮流式傳輸U(kuò)HD內(nèi)容。在這種情況下,我們的移動(dòng)設(shè)備將需要在后臺(tái)臨時(shí)緩沖視頻。

    這需要具有與網(wǎng)絡(luò)一樣快的讀/寫(xiě)操作的大內(nèi)存。下圖說(shuō)明了2D平面NAND閃存無(wú)法滿足當(dāng)今無(wú)線通信的需求。

    一種克服閃存瓶頸的短期解決方案可以是3D NAND技術(shù),其中堆疊的存儲(chǔ)管芯層可以提高內(nèi)存容量和性能。

    高性能閃存僅是5G內(nèi)存挑戰(zhàn)的一半。甚至基于LPDDR4的芯片組也將被5G設(shè)備應(yīng)處理的大量數(shù)據(jù)推到極限。如果沒(méi)有改進(jìn)的RAM內(nèi)存,我們將具有較低的視頻分辨率,令人沮喪的延遲和有限的功能。

    什么是多芯片封裝?

    隨著我們達(dá)到摩爾定律的盡頭,我們需要依靠其他技術(shù)來(lái)改善電子系統(tǒng)的性能。這些技術(shù)之一可能是多芯片封裝,它將不同的芯片以堆疊的方式放置在同一封裝內(nèi)。這種封裝技術(shù)的最新示例是三星的3D IC技術(shù)。

    下圖顯示了堆疊的產(chǎn)品,其中三個(gè)不同的模具彼此粘在一起。

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